參數(shù)資料
型號： IRF640
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/9頁
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代理商： IRF640
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF640, IRF640S
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
16
A
-
-
64
A
I
F
= 18 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 18 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
1.0
130
0.8
1.5
-
-
V
ns
μ
C
August 1999
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF640B 200V N-Channel MOSFET
IRF650A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-220AB
IRF654A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220AB
IRF7102 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO
IRF7107
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF640 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF640/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power Field Effect Transistor
IRF640_R4941 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 200V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
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