亚洲欧洲日产国码a人人干人人,99aiAV国产精品视频

相關(guān)PDF資料	PDF描述
IRF640ST4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-263AB
IRF640STRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-263AB
IRF640STRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-263AB
IRF644A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-220AB
IRF645	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-220AB

相關(guān)PDF資料

PDF描述

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IRF640FP	功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640H	制造商:HARRIS 功能描述:IRF640
IRF640L	功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF640LPBF	功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640N	功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

IRF640FP

功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRF640H

制造商:HARRIS 功能描述:IRF640

IRF640L

功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IRF640LPBF

功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRF640N

功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

*型號(hào)	*數(shù)量	廠商	批號(hào)	封裝

添加更多采購(gòu)

型號(hào)：	IRF640FI
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220VAR
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 200伏五（巴西）直\| 10A條（?。﹟對(duì)220VAR
文件頁(yè)數(shù)：	6/8頁(yè)
文件大?。?/td>	317K
代理商：	IRF640FI

采購(gòu)需求

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

我的聯(lián)系方式

采購(gòu)需求

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

我的聯(lián)系方式

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)