- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360929 > IRF640STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF640STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 18A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | IRF640STRR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF644A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
| IRF645 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220AB |
| IRF640S | N-channel TrenchMOS transistor |
| IRF640 | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管) |
| IRF640 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF640STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF640T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET |
| IRF641 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRF641R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB |
| IRF642 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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