參數(shù)資料
型號: IRF643R
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五(巴西)直| 16A條(丁)| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 40K
代理商: IRF643R
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFD110R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
IRFF110R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
IRFF111R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
IRFF112R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF
IRFF113R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF644 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF644A 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
IRF644B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRF644B_FP001 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF644FP 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube