參數(shù)資料
型號： IRF7342QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 193K
代理商： IRF7342QPBF
IRF7342QPbF
www.irf.com
5
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-3.1A
V
=-12V
DS
V
=-30V
DS
V
=-48V
DS
&
&
!"%$'()#*
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
1
10
100
0
240
480
720
960
1200
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
相關PDF資料
PDF描述
IRF7343IPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7353D1PBF FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode
IRF7379IPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379QPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7342QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET
IRF7342QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7342TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, DUAL P-CHANNEL, -55V, 3.4A, SO-8
IRF7342TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7342TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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