參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7343IPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 222K
代理商： IRF7343IPBF
www.irf.com
3
1
10
100
3
4
5
6
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
10V
6.0V
3.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.0V
3.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
°
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PDF描述
IRF7353D1PBF FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode
IRF7379IPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379QPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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