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參數(shù)資料
| 型號： | IRF740LCPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET-R POWER MOSFET |
| 中文描述： | 的HEXFET - R的功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 1701K |
| 代理商： | IRF740LCPBF |
www.irf.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF740PBF | HEXFET POWER MOSFET |
| IRF740 | N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
| IRF740 | 10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRF740APBF | SMPS MOSFET |
| IRF740 | N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF740LCS | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF740LCSPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| IRF740LCSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF740LCSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF740LPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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