參數(shù)資料
型號： IRF7421D1
英文描述： 30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
中文描述： 30V的FETKY - MOSFET和肖特基二極管的SO - 8封裝
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 149K
代理商： IRF7421D1
IRF7343
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
1200
VDS
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 9.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
N-Channel
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
QG
V
G
I =
4.5A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7421D1PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF7421D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7422D2 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P FETKY SO-8
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