參數(shù)資料
型號(hào): IRF7453
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 250V,身份證\u003d 2.2a在)
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 220K
代理商: IRF7453
IRF7453
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
1.3A
V
= 50V
DS
V
= 125V
DS
V
= 200V
DS
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
TA = 25°C
TJ = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
IRF7455PBF HEXFET Power MOSFET
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IRF7457 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
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參數(shù)描述
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