參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7455PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 1036K
代理商： IRF7455PBF
www.irf.com
7
SO-8 Package Outline
Dimensions are shown in milimeters (inches)
e1
H
K
L
D
E
e
y
b
c
A
A1
.189
.1497
.050 BASIC
.025 BASIC
0°
.013
.0075
.0532
.0040
.2284
.0099
.016
.1968
.1574
8°
.020
.0098
.0688
.0098
.2440
.0196
.050
4.80
3.80
1.27 BASIC
0.635 BASIC
0.33
0.19
1.35
0.10
5.80
0.25
0.40
0°
5.00
4.00
0.51
0.25
1.75
0.25
6.20
0.50
1.27
8°
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN
INCHES
MAX
DIM
8
7
5
6
5
D
B
E
A
e
6X
H
0.25 [.010]
A
6
7
K x 45°
8X L
8X c
y
0.25 [.010]
C A B
e1
A
A1
8X b
C
0.10 [.004]
4
3
1
2
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
6.46 [.255]
3X 1.27 [.050]
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
8X 1.78 [.070]
SO-8 Part Marking Information (Lead-Free)
DATE CODE (YWW)
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
XXXX
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
F7101
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
WW = WEEK
A = ASSEMBLY SITE CODE
PART NUMBER
LOT CODE
EXAMPLE: THIS IS AN IRF7101 (MOSFET)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7455 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A)
IRF7456 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
IRF7457 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
IRF7458 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)
IRF7459PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF7455TR 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai
IRF7455TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
IRF7455TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 15A 7.5mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7455TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 37 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
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