參數(shù)資料
型號： IRF7467
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 12mohm，身份證\u003d 11A條）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 114K
代理商： IRF7467
IRF7467
www.irf.com
7
SO-8 Package Details
K x 45°
C
8X
L
8X
θ
H
0.25 (.010) M A M
A
0.10 (.004)
B 8X
0.25 (.010) M C A S B S
- C -
6X
e
- B -
D
E
- A -
8 7 6 5
1 2 3 4
5
6
5
RECOMMENDED FOOTPRINT
0.72 (.028 )
8X
1.78 (.070)
8X
6.46 ( .255 )
1.27 ( .050 )
3X
DIM
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A .0532 .0688 1.35 1.75
A1 .0040 .0098 0.10 0.25
B .014 .018 0.36 0.46
C .0075 .0098 0.19 0.25
D .189 .196 4.80 4.98
E .150 .157 3.81 3.99
e .050 BASIC 1.27 BASIC
e1 .025 BASIC 0.635 BASIC
H .2284 .2440 5.80 6.20
K .011 .019 0.28 0.48
L 0.16 .050 0.41 1.27
θ
0° 8° 0° 8°
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3. DIMENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS (INCHES).
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 (.006).
DIMENSIONS IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE..
6
5
A1
e1
θ
SO-8 Part Marking
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7468 Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.4A)
IRF7469 Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A)
IRF7470 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
IRF7471PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7471 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7467HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC
IRF7467PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7467TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7467TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 10A 15mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7468 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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