參數(shù)資料
型號： IRF7473PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： IRF7473PBF
IRF7473PbF
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
1.8A
3.3A
4.1A
TOP
BOTTOM
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.020
0.025
0.030
0.035
RD
)
ID = 6.9A
0
20
40
60
ID , Drain Current (A)
0.022
0.024
0.026
0.028
RD
)
VGS = 10V
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF7474 HEXFET Power MOSFET
IRF7475PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7476 Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A)
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