參數(shù)資料
型號： IRF7476
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 12V的，身份證\u003d 15A條）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 111K
代理商： IRF7476
IRF7476
www.irf.com
5
Fig 10.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
4.5V
+
-
V
DD
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
I
D
T
c
, Case Temperature (°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7478QPBF SMPS MOSFET
IRF7484PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7493PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7501 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF7503 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7476HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 12V 15A 8-Pin SOIC
IRF7476PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7476PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:N
IRF7476TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7476TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*