參數(shù)資料
型號： IRF7493PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： IRF7493PBF
IRF7493PbF
2
www.irf.com
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
80
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.074
–––
11.5
15
–––
4.0
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
V
mV/°C
m
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
eff.
Effective Output Capacitance
13
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
35
5.7
12
8.3
7.5
30
12
1510
320
130
1130
210
320
–––
53
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
ns
pF
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Diode Characteristics
Parameter
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
9.3
I
S
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
74
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
37
52
1.3
56
78
V
ns
nC
R
G
= 6.2
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
Conditions
Max.
180
5.6
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 64V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
T
J
= 25°C, I
F
= 5.6A, V
DD
= 15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 5.6A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Typ.
–––
–––
V
GS
= 10V
V
DD
= 40V,
I
D
= 5.6A
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V, = 1.0MHz
MOSFET symbol
V
DS
= 15V, I
D
= 5.6A
I
D
= 5.6A
V
DS
= 40V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7493TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7494 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8
IRF7494PBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 36nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7494TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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