參數(shù)資料
型號: IRF840S
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds(on)\u003d 0.85ohm,身份證\u003d 8.0A)
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 172K
代理商: IRF840S
相關PDF資料
PDF描述
IRF840STRR Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRF841 TRANSISTORS N-CHANNEL
IRF841 RES 100K-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRF842 TRANSISTORS N-CHANNEL
IRF843 RES 1M-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF840SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF840ST 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
IRF840STR 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRF840STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF840STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube