參數(shù)資料
型號： IRFB31N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.082ohm，身份證\u003d 31A條）
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 190K
代理商： IRFB31N20D
IRFB/IRFS/IRFSL31N20D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
7.3A
15A
18A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRFS31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFSL31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFS3207ZPbF HEXFET Power MOSFET
IRFSL3207ZPbF HEXFET Power MOSFET
IRFS3306PBF High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFB3206GPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB3206PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB3207 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFB3207HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 180A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
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