參數(shù)資料
型號： IRFBA1405P
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 5.0mohm，身份證\u003d 174A章）
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： IRFBA1405P
IRFBA1405P
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
60
Q , Total Gate Charge (nC)
120
180
240
300
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
101A
V
= 27V
DS
V
= 44V
DS
1
10
100
1000
0.0
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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