采購(gòu)需求
(若只采購(gòu)一條型號(hào),填寫(xiě)一行即可)*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
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型號(hào): | IRFD223R |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 700MA I(D) | TO-250VAR |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五(巴西)直| 700mA的一(d)|對(duì)250VAR |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 40K |
代理商: | IRFD223R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFF132R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
IRFF133R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
IRFF211R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF |
IRFF213R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-205AF |
IRFF221R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFD224 | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFD224PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFD2Z0 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
IRFD2Z1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 320MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD2Z2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
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