參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI1010
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.012ohm，身份證\u003d 49A條）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 109K
代理商： IRFI1010
IRFI1010N
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
200
400
600
800
1000
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 18A
31A
BOTTOM 43A
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
RG
IA S
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-
VDD
DRIVER
A
15 V
20V
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PDF描述
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