參數(shù)資料
型號: IRFI640-010PBF
元件分類: JFETs
英文描述: 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 66K
代理商: IRFI640-010PBF
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PDF描述
IRFI640-011 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFI640B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
IRFI640BTU_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI640G 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI640GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube