型號: | IRFI640-010PBF |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 66K |
代理商: | IRFI640-010PBF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFI640-011 | 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFI640-005 | 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFI640-004 | 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFI644-013PBF | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFI644-010PBF | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFI640A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA |
IRFI640B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
IRFI640BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFI640G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFI640GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |