參數(shù)資料
型號： IRFIB5N65A
廠商： International Rectifier
英文描述： N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
中文描述： ?頻道開關(guān)電源MOSFET的（不適用溝道開關(guān)模式電源馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： IRFIB5N65A
IRFIB5N65A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
700
720
740
760
780
800
0
1
2
3
4
5
6
A
D
I , Avalanche Current (A)
V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
2.3A
3.3A
5.2A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
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IRFIB6N60APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFIB7N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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