型號: | IRFIBC20 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds(on)\u003d 4.4ohm,身份證\u003d 1.7A) |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大?。?/td> | 167K |
代理商: | IRFIBC20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFIBC20G | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
IRFIBC40G | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
IRFIBC40 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A) |
IRFIBC40GLC | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
IRFIBE20G | GT 19C 19#12 SKT RECP BOX |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFIBC20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFIBC20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFIBC30 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A) |
IRFIBC30G | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFIBC30GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |