參數(shù)資料
型號： IRFIBC40G
廠商： International Rectifier
英文描述： GT 17C 17#16 PIN RECP BOX
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）\u003d 1.2ohm，身份證\u003d 3.5A的）
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： IRFIBC40G
相關PDF資料
PDF描述
IRFIBC40 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
IRFIBC40GLC GT 17C 17#16 PIN RECP BOX
IRFIBE20G GT 19C 19#12 SKT RECP BOX
IRFIBF30G Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)
IRFK3FC50 Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFIBC40GLC 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBC40GLCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBC40GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBE20G 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBE20GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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