參數(shù)資料
型號(hào)： IRFIBE20G
廠商： International Rectifier
英文描述： GT 19C 19#12 SKT RECP BOX
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 800V的，的Rds（on）\u003d 6.5ohm，身份證\u003d 1.4A的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： IRFIBE20G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIBF30G Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)
IRFK3FC50 Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration
IRFK3D054 Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration
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IRFK3D250 lsolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFIBE30GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBF20G 功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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