參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP350
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： N-CHANNEL POWER MOSFETS
中文描述： N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 333K
代理商： IRFP350
IRFP350LC
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
10 V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
4
8
12
16
25
50
T , Case Temperature (°C)
75
100
125
150
I
D
A
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
A
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + TC
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP350 16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP350 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)
IRFP360 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
IRFP360 23A, 400V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP360LC Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFP350FI 功能描述:MOSFET REORDER 620-IRFP350 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LC 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LCPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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