參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP3710
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.025W，身份證\u003d 57A條）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
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代理商： IRFP3710
IRFP3710
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
·
dv/dt controlled by R
G
·
Driver same type as D.U.T.
·
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
·
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
·
Low Stray Inductance
·
Ground Plane
·
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP4232PBF PDP MOSFET
IRFP4242PBF PDP MOSFET
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IRFP450 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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