參數(shù)資料
型號: IRFP4242PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: PDP MOSFET
中文描述: MOSFET的等離子
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 294K
代理商: IRFP4242PBF
www.irf.com
5
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Fig 17.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 15.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 16.
Typical Repetitive peak Current vs.
Case temperature
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
100
200
300
400
500
600
RD
)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
ID = 33A
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
EA
ID
TOP
4.9A
6.3A
BOTTOM
33A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
R
ton= 1μs
Duty cycle = 0.25
Half Sine Wave
Square Pulse
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.1315 0.000555
0.2186 0.023373
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
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