參數(shù)資料
型號： IRFR220N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 600mohm，身份證\u003d 5.0a中）
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： IRFR220N
IRFR/U220N
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.23 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
2.6
–––
–––
15
–––
2.4
–––
6.1
–––
6.4
–––
11
–––
20
–––
12
–––
300
–––
53
–––
15
–––
300
–––
23
–––
46
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 2.9A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
23 I
D
= 2.9A
3.6
nC
9.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
–––
–––
S
V
DS
= 160V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 100V
I
D
= 2.9A
R
G
= 24
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 160V
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
46
2.9
4.3
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.9A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 2.9A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
90
320
1.3
140
480
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
5.0
20
A
Min. Typ. Max. Units
200
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
600
4.0
25
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 2.9A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
3.5
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU220N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A)
IRFR220NTR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
IRFR220NTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
IRFR220NTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
IRFR224 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A)
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參數(shù)描述
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IRFR220NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN DPAK - Rail/Tube
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