參數(shù)資料
型號： IRFR3708PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： IRFR3708PBF
IRFR/U3708PbF
2
www.irf.com
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
213
62
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
Symbol
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
61
244
Min. Typ. Max. Units
49
–––
–––
24
–––
6.7
–––
5.8
–––
14
–––
7.2
–––
50
–––
17.6
–––
3.7
–––
2417
–––
707
–––
52
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 50A
–––
––– I
D
= 24.8A
–––
nC
–––
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
S
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, I
D
= 24.8A, V
DS
= 15V
V
DD
= 15V
I
D
= 24.8A
R
G
= 0.6
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 31A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 31A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.80
41
64
43
70
1.3
–––
62
96
65
105
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.028 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
Typ.
–––
Max. Units
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
8.5
10.0
15.0
–––
–––
–––
–––
–––
12.5
14.0 m
30.0
2.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 7.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
μA
nA
相關PDF資料
PDF描述
IRFU3708PBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS138N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
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IRFU3709ZCPbF HEXFET Power MOSFET
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