參數(shù)資料
型號： IRFR3711ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.1 to 5.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 271K
代理商： IRFR3711ZPBF
2
www.irf.com
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
20
–––
–––
–––
1.55
–––
–––
–––
–––
–––
48
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
13
–––
4.5
5.7
6.2
7.8
2.0
2.45
-5.4
–––
–––
1.0
–––
150
–––
100
–––
-100
–––
–––
18
27
5.1
–––
1.8
–––
6.5
–––
4.6
–––
8.3
–––
9.8
–––
12
–––
13
–––
15
–––
5.2
–––
2160
–––
700
–––
360
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
93
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
370
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
19
9.4
1.0
28
14
V
ns
nC
MOSFET symbol
–––
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
Clamped Inductive Load
T
J
= 25°C, I
F
= 12A, V
DD
= 10V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
DS
= 10V, I
D
= 12A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
V
DS
= 10V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
Conditions
7.9
Max.
140
12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.2 to 5.5; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
IRFR3910PBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3910PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR4104 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
IRFU4104 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
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參數(shù)描述
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IRFR3711ZTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 93A 3PIN DPAK - Tape and Reel
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IRFR3711ZTRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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