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參數(shù)資料
| 型號： | IRFR420PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = 2.4A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的RDS（on）\u003d 3.0ヘ，身份證\u003d 2.4?） |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 865K |
| 代理商： | IRFR420PBF |
www.irf.com
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRFU420PBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = 2.4A ) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRFR420TM | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA |
| IRFR420TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR420TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR420TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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