參數(shù)資料
型號： IRFR9120
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(5.6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： IRFR9120
4-87
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR
CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. RESISTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
400
300
200
100
0
0
-5
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-10
-15
-20
-25
C
600
C
ISS
C
OSS
500
C
RSS
V
GS
= 0V, f = 0.1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
-100
-80
-60
-20
0
-10
-8
-6
-2
0
20
I
G(REF)
I
G(ACT)
80
I
G(REF)
I
G(ACT)
t, TIME (
μ
s)
V
DD
=BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
R
L
= 1.2
I
G(REF)
= -1.0mA
V
GS
= -10V
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
V
D
,
V
G
,
-4
-40
t
P
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
GS
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
t
ON
10%
0
IRFR9120, IRFU9120
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PDF描述
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