參數(shù)資料
型號： IRFRC20
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）\u003d 4.4ohm，身份證\u003d 2.0安培）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 169K
代理商： IRFRC20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFUC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
IRFRU024N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
IRFR024N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
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IRFRU1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
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參數(shù)描述
IRFRC20PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFRC20TR 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFRC20TRL 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFRC20TRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFRC20TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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