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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFRU4105 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.045ohm，身份證\u003d 27A條） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | IRFRU4105 |
IRFR/U4105
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR4105 | 55V,27A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,27A,N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFU4105 | 55V,27A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,27A,N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFS17N20DPBF | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS23N15DPBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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