參數(shù)資料
型號： IRFS31N20DTRR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直|第31A條（?。﹟對263AB
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代理商： IRFS31N20DTRR
IRFB/IRFS/IRFSL31N20D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
7.3A
15A
18A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
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參數(shù)描述
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IRFS3206TRRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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