參數(shù)資料
型號： IRFS3307
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 412K
代理商： IRFS3307
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1.6 1.8 2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
ID
Limited By Package
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
E
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
EA
ID
TOP 8.6A
12A
BOTTOM 75A
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Temperature ( °C )
70
75
80
85
90
95
100
V(
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB3307 HEXFET Power MOSFET
IRFSL3507 HEXFET Power MOSFET
IRFS3507 HEXFET Power MOSFET
IRFB3507 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4710 Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS3307_06 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply
IRFS3307PBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307ZPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3307ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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