參數資料
型號: IRFS4310PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數: 6/12頁
文件大小: 385K
代理商: IRFS4310PBF
6
www.irf.com
Fig 16.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VG
ID = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250μA
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
4
8
12
16
20
IR
IF = 30A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
100
200
300
400
500
QR
IF = 30A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
100
200
300
400
500
QR
IF = 45A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
4
8
12
16
20
IR
IF = 45A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
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IRFS4310TRRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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