參數(shù)資料
型號： IRFS52N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.032ohm，身份證\u003d 50A條）
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代理商： IRFS52N15D
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12/12/01
IRFB52N15D
IRFS52N15D
IRFSL52N15D
HEXFET
Power MOSFET
SMPS MOSFET
V
DSS
150V
R
DS(on)
max
0.032
I
D
60A
PD - 94357
D
2
Pak
IRFS52N15D
TO-220AB
IRFB52N15D
TO-262
IRFSL52N15D
Parameter
Max.
60
43
240
3.8
320
2.1
± 30
5.5
Units
I
D
@ T
C
= 25
°
C
I
D
@ T
C
= 100
°
C
I
DM
P
D
@T
A
= 25
°
C
P
D
@T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbf
in (1.1N
m)
A
W
W/
°
C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°
C
Absolute Maximum Ratings
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.47
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
°
C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFU014 Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
IRFR014 Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
IRFU120TR HEXFET POWER MOSFET
IRFU120 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFS52N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:N
IRFS52N15DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS52N15DTRRP 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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