參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS550A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 21 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 264K
代理商： IRFS550A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 11. Thermal Response
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
25
I
D
Fig 9. Max. Safe Operating Area
P
DM
t
1
t
2
IRFS550A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
@ Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 20.0 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
T
c
, Case Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
single pulse
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
D=0.5
@ Notes :
1. Z
θ
JC
(t)=3.27
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
Z
θ
J
(
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
100 ms
DC
100
μ
s
1 ms
10 ms
@ Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 175
o
C
3. Single Pulse
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS620A N-Channel Power MOSFET（200V，0.8Ω，4.1A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.8Ω，漏電流4.1A）)
IRFS640 200V N-Channel MOSFET
IRFS640B 200V N-Channel MOSFET
IRFS650A Advanced Power MOSFET
IRFS650B 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS5615PBF 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 150V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5615TRLPBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5620PBF 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 200V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5620PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 200V 24A D2-PAK
IRFS5620TRLPBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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