參數(shù)資料
型號(hào)： IRFSL23N15DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大小： 289K
代理商： IRFSL23N15DPBF
IRFB/IRFS/IRFSL23N15DPbF
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
11
–––
–––
37 56 I
D
= 14A
–––
9.6
14
–––
19
29
–––
10
–––
–––
32
–––
–––
18
–––
–––
8.4
–––
–––
1200 –––
–––
260
–––
–––
65
–––
–––
1520 –––
–––
120
–––
–––
210
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 14A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 14A
R
G
= 5.1
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
260
14
13.6
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 14A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 14A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
150
0.8
1.3
220
1.2
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
23
92
Min. Typ. Max. Units
150
–––
0.18 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
––– 0.090
V
GS
= 10V, I
D
= 14A
3.0
–––
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
–––
–––
25
μA
–––
–––
250
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
–––
–––
100
V
GS
= 30V
–––
–––
-100
V
GS
= -30V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.1
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS23N15D 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開(kāi)關(guān)電源 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，用于高頻DC-DC變換器)
IRFB23N15 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFB23N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFSL23N15D 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開(kāi)關(guān)電源 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，用于高頻DC-DC變換器)
IRFS23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFSL23N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL23N20D102P 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL23N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 24A, 100 MOHM, 57 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 24A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
IRFSL3004PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3006PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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