參數(shù)資料
型號: IRFSL23N20D
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 10/12頁
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描述: MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 24A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 14A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1960pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-262
包裝: 管件
其它名稱: *IRFSL23N20D