參數(shù)資料
型號(hào)： IRFSL23N20DPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大小： 288K
代理商： IRFSL23N20DPBF
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1
IRFB23N20DPbF
IRFS23N20DPbF
IRFSL23N20DPbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.10
I
D
24A
D
2
Pak
IRFS23N20D
TO-220AB
IRFB23N20D
TO-262
IRFSL23N20D
Parameter
Max.
24
17
96
3.8
170
1.1
± 30
3.3
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Typical SMPS Topologies
Telecom 48V input Forward Converter
PD - 95536
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS3206PBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFSL3206PBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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IRFSL33N15DPBF SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET
IRFS38N20DPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRFSL3004PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3006PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3107PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL31N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL31N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 31A, 82 MOHM, 70 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 200V, 31A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
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