參數(shù)資料
型號(hào)： IRFSL31N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.082ohm，身份證\u003d 31A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： IRFSL31N20D
IRFB/IRFS/IRFSL31N20D
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
5.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
8.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.5V
0.1
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 175 C
°
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
30A
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PDF描述
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IRFSL3206PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL3207 功能描述:MOSFET N-CH 75V 180A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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