參數(shù)資料
型號: IRFSL3206PBF
廠商: International Rectifier
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大小: 441K
代理商: IRFSL3206PBF
6
www.irf.com
Fig 16.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VG
ID = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250μA
ID = 150μA
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
IR
IF = 45A
VR = 51V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
50
100
150
200
250
300
350
QR
IF = 30A
VR = 51V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
50
100
150
200
250
300
350
QR
IF = 45A
VR = 51V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
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700
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dif / dt - (A / μs)
0
2
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18
IR
IF = 30A
VR = 51V
TJ = 125°C
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IRFSL3307 功能描述:MOSFET N-CH 75V 130A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件