參數(shù)資料
型號： IRFSL38N20DPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 726K
代理商： IRFSL38N20DPBF
IRFB38N20DPbF/IRFS38N20DPbF/IRFSL38N20DPbF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
17
–––
–––
60
–––
17
–––
28
–––
16
–––
95
–––
29
–––
47
–––
2900 –––
–––
450
–––
73
–––
3550 –––
–––
180
–––
380
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 26A
I
D
= 26A
V
DS
= 100V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 100V
I
D
= 26A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 160V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
91
25
42
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
–––
pF
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 26A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 26A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
160
1.3
1.5
240
2.0
V
nS
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
44
180
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.22 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
200
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
––– 0.054
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 26A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.0
25
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Units
E
AS
I
AR
E
AR
V
DS (Avalanche)
Repetitive Avalanche Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
mJ
A
mJ
V
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Min.
Typ.
Max.
–––
–––
–––
–––
–––
390
460
26
–––
260
–––
–––
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