| 型號： | IRFSL59N10D |
| 廠商： | International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 |
| 標準包裝： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 59A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫歐 @ 35.4A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-262 |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | *IRFSL59N10D |