| 型號(hào)： | IRFSL9N60ATRR |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫歐 @ 5.5A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-262-3 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |