參數(shù)資料
型號： IRFU024N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.075ohm，身份證\u003d 17A條）
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 178K
代理商： IRFU024N
IRFR/U024N
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test
Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
0
20
40
60
80
100
120
140
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 4.2A
7.2A
BOTTOM 10A
V = 25V
D
相關PDF資料
PDF描述
IRFRU1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
IRFU1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
IRFR1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
IRFRU4105 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A)
IRFR4105 55V,27A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,27A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU024NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU024PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU034A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-251AA
IRFU1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU1010ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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