參數(shù)資料
型號： IRFU1205
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.027ohm，身份證\u003d第44A）
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 144K
代理商： IRFU1205
IRFR/U1205
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
500
1000
1500
2000
2500
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
70
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 44V
V = 28V
I = 25A
1
10
100
1000
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T = 25°C
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
IRFRU4105 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A)
IRFR4105 55V,27A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,27A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFU4105 55V,27A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,27A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFS17N20DPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU1205PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU120A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFU120ATU 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU120N 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N I-PAK
IRFU120NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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