參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU120Z
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大小： 274K
代理商： IRFU120Z
2
www.irf.com
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min. Typ. Max. Units
100
–––
–––
0.084
–––
150
2.0
–––
16
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.9
–––
1.6
–––
3.1
–––
8.3
–––
26
–––
27
–––
23
–––
4.5
–––
–––
190
4.0
–––
20
250
200
-200
10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
V/°C
m
V
S
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
310
41
24
150
26
57
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
8.7
A
–––
–––
35
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
24
23
1.3
36
35
V
ns
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 5.2A
R
G
= 53
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C, I
S
= 5.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 5.2A, V
DD
= 50V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 5.2A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
I
D
= 5.2A
V
DS
= 80V
Conditions
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PDF描述
IRFU120ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU12N25DPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26ヘ , ID = 14A )
IRFU210PBF HEXFET POWER MOSFET
IRFU220NPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFU130 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
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